唯读记忆体

唯读记忆体

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“ROM”重定向至此。关于其他用法,请见“ROM (消歧义)”。

主存储器和计算机存储器类型(维基数据:Q125005976)

易失性存储器

RAM

DRAM

SDRAM

移动DDR

RDRAM

GDDR

XDR DRAM

DDR SDRAM

HBM

SRAM

发展中

可控硅随机存储器(英语:T-RAM)

Z-RAM

历史上

威廉姆斯管(1946-47年)

延迟线存储器(1947年)

选数管(1953年)

冷阴极计数管

非易失性存储器

ROM

Mask ROM(英语:Mask ROM)

PROM

EPROM

EEPROM

闪存

固态存储

非挥发性随机存取记忆体

RRAM

早期非易失性随机存取存储器

nvSRAM(英语:nvSRAM)

FeRAM

MRAM

PRAM

磁式

磁带

硬盘

光学式

光盘驱动器

发展中

3D XPoint

CBRAM

SONOS

赛道记忆体

NRAM

Millipede

FJG RAM(英语:FJG RAM)

历史上

纸张数据存储(英语:Paper data storage)(1725年)

磁鼓存储器(1932年)

磁芯记忆体(1949年)

磁镀线存储器(1957年)

Core rope memory(英语:Core rope memory)(1960年代)

薄膜存储器(英语:Thin-film memory)(1962年)

磁扭线存储器(~1968年)

磁泡存储器(~1970年)

软盘(1971年)

查论编

只读存储器[1](read-only memory, ROM,台湾译唯读记忆体)是一种存储器,与随机存储器(RAM)一起构成主存[2]。与RAM不同,ROM在掉电时不会丢失所存储的数据,并非易失性(volatile)存储器[2]。

只读存储器非常适合那些在生命周期中几乎不会被更改的软件,例如电脑和手机的操作系统、CPU和GPU的程序等,这种装配了重要软件的唯读记忆体也可叫作“固件”。此外,游戏机[注 1]等可编程设备的软件也可以通过包含只读存储器的卡带进行分发。ROM除了指代自己,上述的韧体也可被称为ROM;另外,ROM还可以指快闪记忆体,尽管后者除了“唯读”之外也能够“删除”体内资料。

严格来讲,只读存储器指直接硬连接在计算机上的存储器,[注 2]可擦可编程只读存储器(EPROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)形式的半导体存储器可以被擦除和重新编程,但过程通常较慢,而且需要专门的设备,还只能擦写一定的次数。

种类[编辑]

ROM[编辑]

ROM(Read Only Memory)唯读记忆体,这种记忆体(Memory)的内容任何情况下都不会改变,电脑与使用者只能读取保存在这里的指令,和使用储存在ROM的资料,但不能变更或存入资料。ROM被储存在一个非挥发性晶片上,也就是说,即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存,所以这种记忆体多用来储存特定功能的程式,如固件。ROM储存用来启动电脑的程式(如BIOS),电脑开机的时候BIOS提供一连串的指令对中央处理器(CPU)等元件进行初始化,在初始化过程中,BIOS程式初始化并检查RAM。

PROM[编辑]

主条目:PROM

可程式唯读记忆体(Programmable ROM,PROM)其内部有行列式的熔丝,可依使用者(厂商)的需要,利用电流将其烧断,以写入所需的资料及程式,熔丝一经烧断便无法再恢复,亦即资料无法再更改。

MROM[编辑]

主条目:MROM

掩膜式只读存储器(masked ROM, MROM)[2]。

EPROM[编辑]

主条目:EPROM

可抹除可编程唯读记忆体(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)可利用高电压将资料编程写入,但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间,资料始可被清空,再供重复使用。因此,在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。写入程式后通常会用贴纸遮盖透明窗,以防日久不慎曝光过量影响资料。

OTPROM[编辑]

一次编程唯读记忆体(One Time Programmable Read Only Memory,OTPROM)内部所用的晶片与写入原理同EPROM,但是为了节省成本,封装上不设置透明窗,因此编程写入之后就不能再抹除改写。

EEPROM[编辑]

主条目:EEPROM

电子抹除式可复写唯读记忆体(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。

快闪记忆体[编辑]

主条目:快闪记忆体

快闪记忆体(Flash memory)的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”,利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。快闪记忆体主要分为NAND型与NOR型。现在NAND Flash常用于固态硬碟、USB随身碟、记忆卡等用途,NOR Flash则用于BIOS/UEFI ROM晶片等用途。

附注[编辑]

^ 例如任天堂Switch

^ 例如二极管矩阵和掩膜ROM,它们被制造后无法通过电子手段更改。更正错误或更新软件一般都需要制造新设备并对原有的设备进行更换。

参考文献[编辑]

^ 只读存储器. 术语在线. 全国科学技术名词审定委员会. (简体中文)

^ 2.0 2.1 2.2 教育部教育考试院.全国计算机等级考试二级教程:公共基础知识 [M].北京:高等教育出版社, 2022 (2023-05): 7-8.

查论编数字电路数字电路概要{{数字系统}}概念

数字信号

布尔代数

开关

组合逻辑电路

时序逻辑电路

同步

异步

真值表

卡诺图

有限状态机

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逻辑闸

与

或

非

同

与非

或非

异或

同或

蕴含

TTL

74190

CMOS

加法器

乘法器

编码器

译码器

数据选择器

锁存器

寄存器

触发器

RS

D

JK

T

储存装置

ROM

RAM

类比数位转换器

数位类比转换器

IC、VLSI

定制程度(半、全)

PLD

PAL

PLA

GAL

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设计

验证

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硬件验证语言

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